碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管_（SiC_MOSFET）功率循环试验方法（T/CA2022）-12页

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管_（SiC_MOSFET）功率循环试验方法（T/CA2022）-12页

资料简介

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）功率循环试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于不带反向并联肖特基二极管的 SiC MOSFET 分立器件的功率循环试验。

资料大小：624 KB
资料语言：中文
下载扣点：30点
下载要求：计点资料
编辑日期：2022
资料数量：12页
资料格式：PDF
更新时间：2022-09-09 09:53:35
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所属类别：国内标准|团体标准
所属分类：质量管理 | 团体标准
相关Tags：碳化硅金属氧化物半导体

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