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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管_(SiC_MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法(T/CA2022)-12页

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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管_(SiC_MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法(T/CA2022)-12页

资料简介

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法。本文件仅适用于 SiC MOSFET 分立器件以源极和漏极之间的电压 作为测试温敏参数的结壳热阻测试。